【聯系方式】
深圳市明佳達電子有限公司
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【規格】
FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：500V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：2.4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：6nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：124pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：22W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 600mA，13V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：PG-TO251-3
封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
IPA60R800CE
IPD50R950CE
IPSA70R600CE
IPS70R1K4CE
IPA50R650CE
IPU60R1K0CE
IPU80R1K0CE
IPU50R950CE
IPS70R950CE
IPS65R1K5CE
IPN50R3K0CE
IPD70R2K0CE
IPU50R2K0CE
IPS60R2K1CE
IPS60R1K0CE
IPS70R2K0CE
IPSA70R950CE
IPS60R1K5CE
IPS60R3K4CE
IPU50R3K0CE
IPS65R650CE
IPSA70R2K0CE
IPU60R3K4CE
IPD60R3K4CE
因市場價格變動幅度較大，價格方面請以當天咨詢為準，如有不便之處，敬請諒解！！！
